Размер рынка индустрии новых энергетических зарядных свай сохраняет тенденцию к росту.

В последние годы Госинь Энерджи Размер рынка индустрии загрузочных свай сохранил тенденцию роста: размер рынка увеличился с 7,2 млрд юаней в 2017 году до 41,87 млрд юаней в 2021 году, при этом совокупный годовой темп роста составил 42,2%. Ожидается, что в связи с неожиданным ростом количества новых энергетических транспортных средств индустрия зарядных свай положит начало ветру. По данным зарядного альянса, ожидается, что в 2023 году объем рынка зарядных свай в Китае превысит 100 млрд юаней.

До сих пор основной зарядной станцией постоянного тока в Китае по-прежнему является стандарт 400 В. По прогнозу China Charging Alliance, количество отечественных зарядных станций постоянного тока, как ожидается, увеличится с 470 000 в 2021 году до 2,19 миллиона в 2025 году. Учитывая постепенное применение высоковольтной быстрой зарядки постоянным током в промышленности, мы ожидаем, что количество зарядных батарей постоянного тока 800 В увеличится с 3000 в 2021 году до 80 000 в 2025 году, а количество зарядных батарей постоянного тока 400 В увеличится с 46,7 миллионов единиц в 2021 году до 2,11 миллиона единиц в 2025 году. Мощность зарядных батарей постоянного тока 400 В составляет в основном 60 кВт, а доля зарядных станций постоянного тока мощностью 120 кВт и выше все еще невелика. В то же время текущие основные зарядные модули имеют мощность 20 кВт и 30 кВт, из которых модули мощностью 20 кВт занимают большую часть емкости рынка.

(1) Предположим, что мощность всех текущих зарядных батарей на 400 В постоянного тока составляет 60 кВт, а мощность зарядных батарей на 800 В постоянного тока — 120 кВт. (2) Предположим, что все зарядные посты на 400 В используют зарядный модуль Wolfspeed мощностью 20 кВт, модель CGD15HB62LP, в котором используется SiC MOSFET третьего поколения 1200 В/62 м (C3M0065100K) и драйвер. Согласно технической спецификации этого модуля, каждый модуль должен использовать 10 SiC MOSFET. Поскольку этот продукт SiC MOSFET имеет однокристальную структуру, каждый SiC MOSFET содержит только один SiC-чип. (3) Если предположить, что все зарядные блоки на 800 В используют зарядный модуль Wolfspeed мощностью 30 кВт, модель C3M0075120K, в этой модели используются SiC MOSFET третьего поколения 1200 В/75 м, требуется около 12 SiC MOSFET и используется многокристальная структура, размер каждого чипа составляет 3,3. ммх3,3 мм. По данным Wolfspeed, каждый МОП-транзистор состоит из 96 микросхем SiC, соединенных параллельно. (4) Предположим, что одна 6-дюймовая пластина соответствует примерно 600 чипам SiC. По нашим оценкам, к 2025 году количество пластин SiC, необходимых для внутренних загрузочных свай, достигнет 329 000,